第一种：

第二种：

第一种和第二种电路图计算公式一样，Vout第一个值为5.7212，第二个值为4.82；

第三种：

集成运放：

数据手册输出：

数据手册输入：

集成运放计算值：

VO=12V-2.47V*5.1K/2K=12-6.2985=5.7015

VMAX=12-(2.47+3.6/2)*(5.1K/2K)=12-10.8885=1.1115

VMIN=12-(2.47-1.8)*2.55=12-1.7085=10.2915

Vpp=10.2915-1.1115=9.18V；

Vrms=0.707*9.18=6.49V,

旋变的参数电压是VRMS=7V：

磁阻式：

绕线式：

与下面集成运放的区别是：电阻相等部位错位导致公式不一样：

数据手册

根据推挽放大电路图（SS8050W+SS8550W组合），以下是对关键电阻的深度解析及实例说明：

仿真电路：

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​​

电阻功能：AI​

​​电阻​​	核心功能	工程意义	失效后果
R2/R18	基极限流门卫	防驱动过冲	晶体管BE结烧毁
R7/R16	温度补偿枢纽	消除热失控隐患	输出交越失真+器件热击穿
R8	NPN侧熔断保险丝	牺牲自我保全核心	开路后电路停止工作
R11	PNP侧负反馈制动器	动态限流+均流	阻值漂移致输出不对称

仿真波形-电压：

仿真波形-电流：

我自己的实测波形图：

1.断开电阻，AD2S1210的EXC直接输出端：直接输出VPP应该是在4V以下，但此芯片已经到了4.32V;

2.放大器电阻前端：VPP在范围内；

3.放大器负端：

4.放大器输出端：5.6V

5.二极管端：5.6+0.7=6.3V

6.10R电阻端=三极管基极,6.26V,10R电阻分压0.02V

7.三极管发射极:6.26V-0.7=5.56V,此处5.77V

8.10R输出端：5.77-5.68=.0.09,10R分压0.09V;

VRMS=6.51V,旋变电压7VRMS;

另一驱动器波形图：

激励波形：

正弦波形：

余弦波形：

第三种驱动器激励波形：

正弦波形：

余弦：

以下是重点：

在没有差分示波器表笔时如何计算及注意事项：

1.EXC+ EXC-输出Vavg=2.47V,VPP=7.2V,则EXC+与GND共模Vavg=2.47V,VPPgnd=3.6V,参考点V+=V-=12*(10/(22+10))=3.75V,放大倍数AV=10/5.1=1.96,

2.通过运算放大器VPP=3.6*1.96=7.1V，共模Vavg=Vout=     (EXC-3.75)/5.1K=(3.75-VO)/10K，Vout=6.25V;

差模：VPP*2=7.1V*2=14.2V,共模6.25V

3.旋变变比是0.5

则VSIN+ VSIN-差模电压=14.2/2=7.1V,则VSIN+与GND电压VPPGND=3.55V，转动电机，使正弦输出电压最大3.55V约

而正余弦要求电压，3.15V(2.3-4.0V以内），VSIN+与GND电压要求为4/2=2V以内，现在将3.55变为2V以内，

偏执电压采用芯片的VREFOUT=2.47V,

正弦线圈有电阻和感抗，根据旋变线圈电阻不同大小，固定VREFOUT的偏执电阻为2K,则更换正余弦串入的电阻值，电阻前为3.55V,电阻后为2V以内则电阻合适，此处电阻值为2K；

注意点：

共模电压满足条件：3.55v/2=1.775V, 2.47-1.775到2.47+1.775，满足相对于AGND的SIN、SINLO、COS和COSLO电压必须始终在0.15 V至AVDD − 0.2 V范围内。

接上不同的旋变可能出现正弦波负半轴缺少，可以检测二极管前面电压放大值，示波器测试时，如果出现电压VPP很大，超过xxV，VMAX和VMIN低限位已经变为0，没有了余量；

实测波形：

EXC与GND

推挽放大：

正弦与GND，接口电压：

正弦与GND，传入电阻后：