NSG21814 700V 大电流高、低侧 MOSFET/IGBT 驱动芯片

NSG21814 替代 IR21814

NSG21814 是高压、高速功率 MOSFET/IGBT 高低侧驱 动系列芯片，具有两个独立传输通道，逻辑地与功率 地分离，可以更好的减少功率级噪声对逻辑电路的干 扰。内部集成了高、低侧欠压锁定电路、过压钳位电 路等保护电路，具备大电流脉冲输出能力，逻辑输入 电平兼容低至 3.3V 的 CMOS 或 LSTTL 逻辑输出电平， 输出电流能力最大可达 4A，其浮地通道最高工作电压 可 达 700V 。 可 用 于 驱 动 N 沟 道 高 压 功 率 MOSFET/IGBT 等器件。

自举工作的浮动通道



最高工作电压为 700V



兼容 3.3 V, 5V 和 15V 输入逻辑



dV/dt 耐受能力可达±50 V/nsec



Vs 负压耐受能力达-9V



栅极驱动电压：10 V 到 20V



高、低侧欠压锁定电路

– 欠压锁定正向阈值 8.9V

– 欠压锁定负向阈值 8.2V



芯片开通/关断传输延时

– Ton/Toff =130ns/130ns）



高低侧延时匹配



驱动电流能力：

–拉电流/灌电流=4.0A/4.0A



符合 RoSH 标准

SOIC8 (S)

2 应用范围



电机控制



空调/洗衣机



通用逆变器



微型逆变器驱动程序

3 产品概述

NSG21814 是高压、高速功率 MOSFET/IGBT 高低侧驱

动系列芯片，具有两个独立传输通道，逻辑地与功率

地分离，可以更好的减少功率级噪声对逻辑电路的干

扰。内部集成了高、低侧欠压锁定电路、过压钳位电

路等保护电路，具备大电流脉冲输出能力，逻辑输入

电平兼容低至 3.3V 的 CMOS 或 LSTTL 逻辑输出电平，

输出电流能力最大可达 4A，其浮地通道最高工作电压

可 达 700V 。 可 用 于 驱 动 N 沟 道 高 压 功 率

MOSFET/IGBT 等器件。

器件信息

零件号

封装

封装尺寸（标称值）

NSG21814

SOIC14

8.6mm x 3.9mm

简化示意图