LP3798EAM/EBM/ESM是芯茂微推出的「原边控制+内置SiC功率管」二合一方案，覆盖12V2A-12V3A（24W-36W）主流功率段。无需光耦、TL431和肖特基，单层PCB即可通过EMI Class B，峰值效率>91%，BOM数量比传统方案减少20%，特别适合小家电、智能锁、机顶盒、电动工具等成本敏感且空间受限的应用。
 

订购信息与功率选型

订购型号	封装	内阻	推荐功率	备注
LP3798EAM	ASOP-6	5Ω	18W(90-265V) / 24W(176-265V)	小外壳
LP3798EBM	ASOP-6	1.2Ω	24W(90-265V) / 36W(176-265V)	通用型
LP3798ESM	ASOP-6	1.0Ω	24W(90-265V) / 36W(176-265V)	小体积&大电流

所有子型号脚位兼容，仅SiC Rdson差异，可根据外壳尺寸和散热条件快速切换。

典型应用电路（24W 示例）

• 输出电压由FB分压设定（公式见Datasheet 式1）

• 恒流点由RCS设定（式11）：IOCP ≈ VREFCCP·NP/(NS·RCS)

• 无光耦、无TL431，单面PCB 45mm×39mm即可实现24W

管脚定义与封装

底部散热焊盘接GND，推荐开3×3过孔到内层铜，热阻θJA≈50°C/W。

内部框架图解读

1. 750V SiC Power MOSFET —— 去掉外部高压MOS

2. PFM+抖频振荡器 —— 100kHz/65kHz/24kHz三档，±3%周期抖动，EMI峰值降低5dB

3. CV/CC双环路 —— 恒压时采样FB退磁电压；恒流时采样CS中心点电压与退磁占比乘积

4. 逐周期保护库 —— OVP/UVP/OCP/OTP/TONMAX/FB开短路/CS开短路，全部自恢复

5. 软启动&斜坡补偿 —— 13.5ms阶梯升峰，CCM占空比>50%也不出现次谐波振荡

应用设计要点

1. 启动电阻RST
   选1MΩ-2MΩ/0.25W，启动电流仅2µA，待机功耗<75mW

2. 变压器设计

   • NP:NA:NS推荐210:28:14（24W）

   • 漏感<25µH，降低尖峰

   • Bmax<0.35T，避免饱和

3. RCS计算
   目标IOCP=2A，选RCS=0.25Ω/1W，公式见式11

4. FB分压电阻
   RFBH=24k，RFBL=4.3k，得到12V±1%

5. PCB布局

   • 功率环路（母线电容-D-变压器）面积<30mm²

   • CS采样电阻Kelvin到GND，远离高压节点

   • VCC旁路1µF+100nF紧靠2脚

   • 散热焊盘打9孔0.3mm到内层地，温升再降8°C

实测性能（参考24W Demo）

• 峰值效率：91.2%@230V/1.5A

• 空载功耗：58mW@230V

• 输出纹波：120mV（20MHz带宽）

• 动态负载0-100%：ΔVo<±200mV，恢复<400µs

• 传导EMI：QP余量>6dB@500kHz，无需共模电感

• 雷击：±4kV L-PE/N-PE PASS

• OTP：150°C自恢复，45°C壳内满载4h无降额

子型号切换指南

• 小外壳/散热差：选EAM（5Ω），成本低，18W足矣

• 通用24W：EBM（1.2Ω），性价比最高

• 36W/小体积：ESM（1.0Ω），导通损耗最小，注意铜箔散热

所有型号脚位相同，只需更改RCS与变压器匝比，一周内可完成平台切换。