主要参考资料：
D类音频功放NS4110B电路设计: https://blog.csdn.net/weixin_42107954/article/details/126037955

依葫芦画瓢的电路

在设计功放电路时，直接copy了别人的电路，却将喇叭由原来的8Ω1W替换为了4Ω3W。测试时，毫无意外声音没有出来，下面一步步查找原因。

手册应用说明

9.8 电源去耦电容

电源端加适当的去耦电容可以确保器件的高效率及最佳的 THD+N 性能（Total Harmonic Distortion（THD）是衡量信号失真程度的核心指标，定义为基波信号以外的谐波成分总有效值与基波有效值的百分比。），同时为得到良好的高频瞬态性能，希望电容的 ESR 值要尽量小。一般使用 1uF 的陶瓷电容将 VDD 旁路到地。去耦电容在布局上应尽可能的靠近芯片的 VDD 放置。如果希望更好地滤除低频噪声，则需要根据具体应用添加一个10uF 或更大的去耦电容。

采用了一个1uf 和一个22uf的电容组合。

9.9 增益设置和输入电阻

看我的设计电路，150KΩ，增益1.5dB
如果将Rin替换成10KΩ，增益24dB
按照功率放大倍数分贝数定义：K=10lg(Po/Pi)，其中K为放大倍数的分贝数，Po为放大信号输出，Pi为信号输入。
0db = 1倍
6db = 2倍
20db = 10倍
40db = 100倍
60db = 1000倍
80db = 10000倍
-6db = 1/2倍
-20db = 1/10倍
-40db = 1/100倍

9.10 输入滤波器

截止频率是滤波器幅度响应（信号增益）下降到最大值的约 -3 dB（即功率下降为一半）时对应的频率点。
高于截止频率的信号能较完整地通过（衰减较小），而低于截止频率的信号会被显著衰减。
150kΩ，100nf算下来我的截止频率是10.6hz
比较完美覆盖人声频率20hz-20khz
如果将Rin改小，相应的就要提高Cin
以10kΩ为例，Cin相应改为1uf，截止频率为15.9hz，符合条件。

9.11 磁珠与电容

电路布局上没有明显EMI干扰，因此没有考虑磁珠。