利用分子束外延技术合成半导体薄膜，形成窄带隙半导体插入在两种宽带隙材料中，形成高迁移率三角形量子阱通道，一个量子阱将偏置电流的电子限制在二维电子气体，由此电子通过检测到的霍尔效应以更可控的方式使用更少的磁场散射。

令人兴奋的是，与通用的霍尔传感器相比，宽（线性）工作范围下允许更大的测量灵敏度，温度系数低使得显著降低本底噪声的同时稳定保持高线性精度输出、有源元件的有效面积更小等优势。独特的量子阱结构让霍尔传感器有着传统硅霍尔传感器所没有高灵敏度（160V/AT）和抗辐射能力（-100℃-200℃工作）。