--- 产品参数 ---

• 封装：SOP8
• 单电源电压：2.7 至 3.6V
• 接口：带 SDR 模式的 SPI/QPI
• 性能：时钟速率高达 133MHz
• 工作温度范围：-40°C 至 +85°C

--- 产品详情 ---

LY68L6400SLIT 64M 位串行伪 SRAM，带 SPI 和 QPI 

特点 
50Ω 输出驱动强度 LVCMOS。
线性脉冲串（连续）或 32 字节包裹 
线性突发（连续）或 32 字节包裹突发（通过切换命令）。
支持高达 84MHz 的线性突发，只要有 tCEM，就可以跨页边界。
只要满足 tCEM，即可跨页边界。
软件复位。
提供绿色封装 
封装：8 引脚 150mil SOP 
8 引脚 2mm x 3mm DFN 

规格 
单电源电压： 
VCC=2.7 至 3.6V 
接口： 带 SDR 模式的 SPI/QPI 
性能： 时钟速率高达 133MHz（非页面边界交叉） 84MHz（页面边界交叉） 
组织： 64Mb，8M x 8 位 
可寻址位范围： A[22:0] 
页面大小：1024 字节 
刷新： 自管理 
工作温度范围 
TC = -40°C 至 +85°C 
最大待机电流： 200µA @ 85°C