路透社9月26日引述三名消息人士的话称，特朗普政府正考虑根据每台外国电子设备中芯片的数量对其征收关税，试图推动企业将制造业转移至美国。

报道称，这是该计划首次被披露，且可能发生变动。根据计划，美政府将对产品芯片价值的估算部分按比例征收关税。美国商务部暂未回应置评请求。

川普这波按芯片数量征税的政策一旦落实，势必将提升高集成度芯片的战略价值。

拆招的关键：高集成度芯片通过将多种功能集成在单一芯片上，有效减少了设备中芯片总数，自然而然地降低了关税影响。

在这一领域，中国芯片企业已经积累了显著优势。

结合之前项目的开发经验来看，沁恒在 RISC-V 芯片设计中延续了其在各类接口领域的技术积累。它并不是简单堆砌内核和外设，而是通过自研的RISC-V内核架构，配合高速 USB、Type-C PD、以太网、蓝牙等专业接口技术，全栈自研一体化设计。这样可以针对不同的应用场景，比如高速通信、无线互联、Type-C 电源管理、电机控制等，提供相对完整且有接口特色的高集成度方案，更方便工程师在实际产品里直接落地。

集成以太网PHY和USB2.0/3.0 PHY的MCU——CH32V317,CH32H417

互联型MCU CH32V317，单芯片实现多接口混合组网，无需外挂额外接口控制器，降低硬件成本与方案复杂度，适配多通信类型的综合场景。

400MHz青稞V5F+150MHz青稞V3F双核MCU CH32H417，5Gbps超高速USB3.0内置PHY，实测速度每秒450M字节，内置百兆以太网PHY、提供USB3.0、FIFO并口、DVP、SDMMC等多种高速通信接口，同时支持Type-C PD最高240W功率传输。

内置MAC地址，免EEPROM的控制器芯片——CH390

自带全球唯一分配的MAC地址，无需外置EEPROM提供MAC地址，节省了BOM成本。CH390的SPI和并口支持1.2V-3.3V电压，对于低压SoC节省了电平转换芯片。

真C单芯片，免Type-C切换芯片的HUB——CH634X

CH634X采用的是8x8mm的QFN68封装，与其他只有A口的HUB相比，带2个Type-C接口，原生支持Type-C正反插自适应，省模拟开关、正反插检测芯片。与此同时原生支持PDHUB、Type-C电源15W和PD的100W快充（20Vx5A），如果有想给上行口提供PD供电的需求也是丝滑匹配的。从这一点上看，还能省掉PD芯片。

上下行内部切换，免外部模拟开关芯片的HUB——CH634，CH335，CH338

相较传统的普通HUB+USB3.0模拟开关CH482/3实现上下行口交换的功能，存在如下局限：对于5Gbps及更高速度的USB信号，模拟开关可能影响信号完整性。使用自带上下行口交换功能的HUB，不但节省模拟开关的成本、降低EMI、减小布线难度和PCB面积，也不用担心降低信号质量。4端口USB3.2 Gen1超高速USB HUB芯片CH634、7端口/4端口高速USB HUB芯片CH338、CH335等均支持上下行口交换。

集成蓝牙、高速USB和NFC的多模SoC——CH585

以智能门锁方案为例，相比传统多芯方案：MCU+BLE+音频/触摸/NFC，CH585单芯片集成BLE、NFC、触摸和段式LCD，再比如高上报率需求的电竞外设产品，CH585单芯片满足BLE5.4和高性能2.4G协议，同时提供480Mbps高速USB，甚至可以添加NFC解锁这一定制化黑科技。

集成预驱、Type-C及高压LDO的电机控制MCU——CH32M030

CH32M030模拟增强，支持PDUSB，内置两路可编程灌电流模块可实现外部DCDC动态调压，内置预驱和高压LDO，灵活应对电源管理、电机控制等场景。以支持快充的小家电BLDC方案为例，可节省：1个高压LDO；3组预驱，3个自举二极管；OPA、CMP和外围电阻；充电管理芯片。

KVM应用必备：USB多主多从HUB专用MCU

单芯片CH645，内置8个USB2.0高速 PHY

相较常见多芯片堆叠方案，CH645单芯片集成USB2.0高速KVM主要功能模块。内置4个USB组合设备控制器、8个高速USB PHY和信号切换矩阵。每个USB组合设备由1个高速4端口USB HUB和3个虚拟子设备组成，单芯片总计可支持28个USB设备。无需外接HUB芯片，无需模拟开关切换USB，支持USB设备混插，无设备类型限制。

升级版CH664,内置7个USB3.0超速和8个USB2.0高速 PHY，同时支持PDUSB及Type-C快充功能。

总结

上述多款面向不同应用场景的高集成度芯片，可以发现共性：自研高性能青稞RISC-V处理器与专业通信接口一体化设计，减少了通信的中间环节，让芯片内部各组件结合紧密，进一步提升了通信效率，降低功耗，有效减少外围芯片使用。