【芯片可靠性】ESD-CDM
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标准:
在CDM测试中,一般的就关注测试条件电压,例如CDM±250V ±500V,下图Jedec的等级标准:

而在实际测试工程不,不可忽略的有Ipeak电流问题,标准中对于测试的波形有一定的要求,对于第一段的Ipeak,需要满足相应的测试波形;

测试前校准(机台相关):
在测试前需要进行机台的校准,选用标准的件(两个圆片-理想模拟电容元件)来进行测试条件的校准,如下图所示对应的Ipeak电流,但实际芯片非理想,所以电流只做相应的参考

I Peak电流相关Q&A:
(1)那测试过程中会发现对应的power pin和IO pin的实际测试结果不同,这个是什么原因呢?
因为不同管脚的防护器件不同,泄放能力及导通速度不同,及低阻抗通路;同时不同pin对应的寄生电感不同,因此导致不同,一般来说power pin的Ipeak电流会大于其他管脚
如小编对芯片进行测试的时候, power pin在10A而IO pin仅8A(CDM500V情况下)
(2)那Ipeak到底越大越好还是越小越好?
这个没有明确定义,这个和芯片尺寸也有很多影响,要更具实际ESD防护电路来看;举例 例如再ESD pass的情况下,那Ipeak电流越大,说明泄放速率越快,低阻抗通路,同时ESD器件没有损坏,这个情况下就说明Ipeak越大就越好
但Ipeak再负向电压测试的时候会造成压降,压降过高会击穿栅氧层,如标准里面所说:

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