FIB（聚焦离子束）技术简介

1. 基本定义​

FIB 是英文“Focused Ion Beam”的缩写，中文名称为“聚焦离子束”。其原理可类比为对芯片进行“手术”，主要操作分为“连线”（Line）与“切线”（Cut）。

2. 工作原理​

• 设备通过约 5 万伏特的电压加速离子源（通常为镓离子，Ga⁺），使其撞击样品表面产生二次电子。
• 二次电子经影像接收器转化为图像，实现实时观测。
• 配合蚀刻气体（如二氟化氙、溴气）实现“切线”（去除材料），或通过沉积气体（如钨）实现“连线”（连接电路）。

3. 应用背景​

芯片的制造流程通常包括：设计 → 线路布局（Layout）→ 光罩制作（Mask）→ 晶圆厂制造（FAB）→ 封装测试。若芯片测试未能达到预期功能，或需调整优化设计，直接重新流片（约需1-2个月）将面临时间与成本的双重风险。

4. 核心价值：设计验证​

FIB 可在不重新流片的情况下，直接对现有芯片进行电路修改与功能验证。其优势包括

• ：在流片前确认设计修改方案的可行性，避免因设计失误导致上市延迟。
• ：减少因重新流片产生的研发成本与时间损耗。
• ：缩短产品迭代周期，助力芯片快速上市。

FIB在芯片逆向分析程序解密中也是常用的一种手段。