NSG21276 是一款带过流检测的高电压、高速单通道 高侧 MOSFET/IGBT 驱动芯片。NSG21276 采用高低

压兼容工艺使得高侧栅驱动电路单芯片集成，逻辑输 入电平兼容低至 3.3V 的 CMOS 或 LSTTL 逻辑输出电

平。内置高侧过流保护电路，当检测到过流状态时， 关断芯片输出，同时，一个漏极开路的FAUL端口输 出错误信号。NSG21276 其浮动通道可用于驱动高压 侧 N 沟道功率 MOSFET，浮地通道最高工作电压可达 300V。NSG21276 采用 SOIC8 封装，可以在-40℃至 125℃温度范围内工作。

自举工作的浮地通道

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最高工作电压为+300V

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兼容 3.3V, 5V 和 15V 输入逻辑

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dVS/dt 耐受能力可达±50 V/ns

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Vs 负偏压能力达-5V

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输入输出同相位

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栅极驱动电压

–从 8 V 到 22V

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栅极驱动拉/灌电流 4A/4A

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集成欠压锁定电路

– 欠压阈值 6.8V/7.2V

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芯片传输延时特性

– 开通/关断传输延时 Ton/Toff =150ns/150ns

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宽温度范围-40°C ~125°C

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Fault 引脚故障输出

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符合 RoSH 标准

SOIC8 (S)

电机控制和驱动

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机器人技术

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