ADP5071 芯片的功能方块图
🧠 整体架构分区(推荐先看大结构)
图中可以分为两个主通道:
-
左侧:升压通道(Boost)
-
右侧:反向通道(Inverting)
还有一些公共控制模块如:PWM控制器、参考电压源、软启动、热保护等
✅ 各模块功能详解(从左到右)
🔷 1. VIN、PVIN1、PVIN2、PVINSYS —— 电源输入
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VIN:系统主电源输入,外部电容CIN滤波。 -
PVIN1:供给 Boost 通道(升压)的电源。 -
PVIN2:供给 Inverting 通道(反相)的电源。 -
PVINSYS:供给内部模块(如振荡器、参考电压)的系统供电。
🔷 2. INBK SWITCH CONTROL —— 输入断接控制
-
控制
INBK与PVIN1之间的开关是否导通; -
用于实现 真正关断(True Shutdown):关闭后切断输入到升压电路的通路,防止漏电。
🔷 3. BOOST 通道(升压通路)
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L1:升压电感 -
SW1:开关节点,由内部MOSFET控制导通/关断 -
D1:肖特基二极管,将电感能量导入输出 -
COUT1:输出电容,稳定升压后的VOUT1
🧠 PWM控制流程:
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BOOST PWM CONTROL控制SW1开关; -
通过
CURRENT SENSE检测电流是否到达目标; -
ERROR AMP比较FB1与参考电压REF1; -
误差通过
COMP1补偿网络(RC1 + CC1)进行稳定; -
调整占空比调节输出。
🔷 4. 反相通道(右侧 INVERTER)
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L2:反向电感 -
SW2:开关节点,由INVERTER PWM CONTROL控制 -
D2:肖特基二极管,将负电压能量导入输出 -
COUT2:负输出电容,稳定VOUT2
🧠 反相控制流程:
-
ERROR AMP比较FB2和参考电压REF2; -
控制
SW2导通周期; -
电感
L2放能通过D2导出负电压; -
COMP2为误差放大器的频率补偿节点。
🔷 5. 电压反馈路径(FB1/FB2 + 分压网络)
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FB1接电阻分压RFT1和RFB1,监测正输出电压; -
FB2接电阻分压RFT2和RFB2,监测负输出电压; -
两路分别反馈给误差放大器控制输出稳定。
🔷 6. SLEW(斜率控制)
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控制 MOSFET 的开关斜率,降低开关噪声(EMI);
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对于 Boost 和 Inverting 通道都有作用;
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可通过外接选择:开路(快)、接 VREG(中等)、接 AGND(慢,EMI 最低)。
🔷 7. SYNC/FREQ + OSCILLATOR(频率控制)
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外部
SYNC/FREQ决定是否:-
使用内部固定频率(1.2 MHz 或 2.4 MHz)
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或同步外部时钟(通过 PLL 锁定外部频率)
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OSCILLATOR为整个 PWM 控制器提供工作时钟。
🔷 8. VREG + CVREG(内部稳压)
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VREG:内部稳压器输出(典型 4.25V),供内部逻辑和驱动电路使用;
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外部需要接1µF电容(CVREG)用于稳定输出;
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禁止外接负载,仅供芯片内部使用。
🔷 9. VREF + CVREF(反相基准)
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提供 1.6V 的参考电压,用于
FB2分压比较; -
外接1µF电容稳定参考电压。
🔷 10. EN1 / EN2(精确使能控制)
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控制 Boost(EN1)和 Inverter(EN2)是否开启;
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内部接精密参考电压,具备精准启动/关断逻辑;
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与
SEQ搭配实现启动顺序控制。
🔷 11. SEQ + Sequence Control(启动顺序)
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SEQ + EN1/EN2 控制三种模式:
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手动启动(SEQ 悬空)
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同时启动(SEQ 接 VREG)
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顺序启动(SEQ 接地)
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🔷 12. SS + RSS + START-UP TIMERS(软启动)
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控制启动时输出电压上升的斜率,防止大电流冲击;
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SS 悬空 = 快速启动;
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接电阻
RSS到地 = 延迟启动,计算软启动时间。
🔷 13. PROTECTION BLOCKS(保护机制)
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THERMAL SHUTDOWN:过温保护 -
UVLO:输入欠压锁定 -
OVP:过压保护(监测 FB1 和 FB2) -
CURRENT SENSE:电感峰值电流检测,保护 MOSFET 不过流
✅ 总结图解流程(左至右)
VIN → 电感 → MOSFET 开关 → 输出(Boost / Inverting)
↑ ↓ ↑
输入电压 PWM控制 ← 误差放大 ← 反馈电压
↑ ↑
振荡器 / 时钟控制 电阻分压反馈(FB1/FB2)
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