256K*16告诉异步CMOS静态RAM(支持3.3V)


特性

  • 高速访问时间:8,10,12和15ns
  • CMOS 低功耗运行
  • 兼容TTL接口电平
  • 单3.3V±10%供电
  • 全静止操作:不需要提供时钟或者刷新
  • 三态输出
  • 上下字节的数据控制
  • 工业温度内可用

描述

ICSILS61LV25616(后面简称25616)芯片是一个高速的,4 194 304 bit静态RAM,其中包含262144个16位字长。它是通过ICSI高性能CMOS技术制造而成。这种高度可靠的工艺与电路设计技术相结合,制造出高性能,低功耗的设备。
CE‾\overline{\rm{CE}}CE是电平时(未被选中),这个设备假定在等待模式状,功耗可以降低到CMOS输入水平。
提供简单内存扩展,设置芯片使能和输出使能的输入信号,分别为CE‾\overline{\rm{CE}}CEOE‾\overline{\rm{OE}}OE。低电平写入使能WE‾\overline{\rm{WE}}WE在内存的读取与写入时都有效。允许高字节(UB‾\overline{\rm{UB}}UB)和低字节(LB‾\overline{\rm{LB}}LB)访问。
25616被封装成JEDEC标准44管脚400mil SOJ和48管脚 6*8TFBGA。

功能块框图

功能块框图

管脚配置图

在这里插入图片描述

管脚描述
A0-A17 地址输入
I/O0-I/O15 数据输入输出
CE‾\rm{\overline{CE}}CE 芯片使能输入
OE‾\rm{\overline{OE}}OE 输出使能输入
WE‾\rm{\overline{WE}}WE 写入使能输入
LB‾\rm{\overline{LB}}LB 低字节控制(I/O0~I/O7)
UB‾\rm{\overline{UB}}UB 高字节控制(I/O8~I/O15)
NC 无连接
VCC 电源
GND 地信号
真值表
状态 WE‾\rm{\overline{WE}}WE CE‾\rm{\overline{CE}}CE OE‾\rm{\overline{OE}}OE LB‾\rm{\overline{LB}}LB UB‾\rm{\overline{UB}}UB IO0~IO7 IO8~IO15 VCC
未被选 X H X X X 高阻 高阻 ISB1,ISB2
输出禁止 H
X
L
L
H
X
X
H
X
H
高阻 高阻 ICC
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